【科技资讯】AI数据中心爆发，功率半导体大涨

📝 核心摘要

AI数据中心成为功率半导体增长核心驱动力。全球功率半导体市场规模预计从2025年289亿美元增至2030年433亿美元，其中AI数据中心相关规模达106亿美元，占比近四分之一；碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）在数据中心的复合年增长率分别为29.5%和46.3%。政策方面，韩国政府计划在“超创新经济项目”框架下投入5000亿韩元（约3.29亿美元）推动下一代功率半导体量产。2026年PCIM展上，功率半导体巨头集体押注AI数据中心，行业开年迎来密集涨价潮。

AI数据中心供电架构正发生深刻变革。800V HVDC架构相比传统交流系统优势显著，可减少铜材使用、提升能源效率和扩展性，推动供电路径从传统AC配电转向高压直流母线。机架功率突破1MW后，固态变压器（SST）和固态断路器（SSCB）成为热点，美银预计2030年两者半导体机会分别达5亿和4亿美元，每兆瓦模拟芯片含量将从1.24万美元提升至3.89万美元。此外，英伟达MGX模块化架构加速AI基础设施部署，SiC和GaN在数据中心的应用增速超电动汽车，垂直供电（VPD）技术逐步推进，VRM、IBC等模块持续进化。

全球功率巨头聚焦系统级解决方案与新兴技术。PCIM2026上，Infineon、onsemi等厂商从单器件参数转向系统级效率、功率密度与可靠性，布局800VDC配电、SiC JFET、GaN高密度电源等。SiC JFET因双向阻断优势在高压直流配电中回归，Infineon推出CoolSiC JFET及SSCB方案，onsemi展示模块化产品及全链路电源树。GaN向更高电压扩展，Navitas、ST等展示相关电源方案。材料封装方面，Wolfspeed推进200mm SiC晶圆商业化，银烧结等封装技术受关注，SST和SSCB从概念走向样机。

国内厂商以单点技术为主，加速切入AI赛道。杰华特、圣邦微等推出大电流DrMOS产品；英诺赛科AI业务收入增长50.2%，进入英伟达供应链；士兰微SiC MOSFET通过头部客户认证并批量出货；三安半导体、扬杰科技等在数据中心电源市场实现规模量产，客户覆盖头部云厂商及电源企业。随着AI服务器向800V HVDC演进，国内厂商迎来成长机遇。

AI数据中心市场潜力巨大。美银数据显示，机架功率快速增长，GB200机架达121kW，Rubin Ultra达646kW；2025-2030年AI加速器需新增233GW电力部署，全球数据中心总电力需求从100GW增至300GW。AI模拟半导体市场将从2025年79亿美元增至2030年270亿美元，CAGR 28%，单机架模拟芯片含量从2万多美元升至6万美元以上，行业竞争将更激烈。

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🏷️ 标签：AI数据中心, 功率半导体, 碳化硅（SiC）, 氮化镓（GaN）, 800V HVDC

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