【科技资讯】AI数据中心爆发，功率半导体大涨

📝 核心摘要

2026年6月，AI数据中心爆发推动功率半导体行业大涨，成为其新一轮增长核心驱动力。机构研报显示，全球功率半导体市场规模将从2025年289亿美元增至2030年433亿美元，其中AI数据中心相关规模达106亿美元，占比近四分之一；碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）在数据中心的复合年增长率分别高达29.5%和46.3%。政策层面，韩国政府计划在“超创新经济项目”框架下投入5000亿韩元（约3.29亿美元）研发资金，推动下一代功率半导体量产。同时，2026年开年以来，功率半导体行业因AI数据中心需求迎来密集涨价潮，PCIM 2026上巨头集体押注该领域。

AI数据中心供电架构正发生深刻变革。800V HVDC架构成为关键方向，相比传统交流系统，相同铜线缆可传输超150%功率，减少铜材使用并降低成本，还提升系统扩展性与能源效率。供电路径从传统AC配电转向高压直流母线、SST等，带动SiC模块、GaN器件等需求。机架功率突破1MW时，固态变压器（SST）和固态断路器（SSCB）成为热点，美银预测2030年两者半导体机会分别达5亿美元和4亿美元，每兆瓦模拟芯片含量从1.24万美元提升至3.89万美元。此外，英伟达MGX模块化架构简化AI基础设施部署，SiC和GaN不再局限于汽车领域，在数据中心高压转换与高频DC-DC中应用加速；垂直供电（VPD）技术通过缩短传输路径提升效率，分三阶段演进。

全球功率半导体巨头在PCIM 2026上展现技术布局重点：从单器件参数转向系统级效率，Infineon、onsemi押注SiC JFET用于高压直流配电与固态断路器；GaN在高频高密度电源等场景扩张，Navitas、ST等展示相关方案；材料与封装技术成竞争焦点，Wolfspeed推进200mm SiC晶圆商业化，陶瓷基板、银烧结等技术受关注。国内厂商多以单点技术为主，杰华特、圣邦微等推出大电流DrMOS产品，英诺赛科、士兰微等在SiC/GaN领域切入AI赛道，部分企业已进入头部客户供应链或实现批量出货。

市场规模方面，AI数据中心机架功率快速增长，传统云机架功率10-15kW，GB200（Blackwell）达121kW，Rubin Ultra冲到646kW。2025-2030年全球数据中心总电力需求将从100GW膨胀至300GW。美银预测AI模拟半导体市场将从2025年79亿美元增至2030年270亿美元，复合年增长率28%；单机架模拟芯片含量从2万多美元涨至6万美元以上，AI数据中心成为功率半导体厂商必争的“大蛋糕”。

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🏷️ 标签：AI数据中心, 功率半导体, 碳化硅（SiC）, 氮化镓（GaN）, 800V HVDC

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